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SIB800EDK-T1-GE3 |
PowerPAK? SC-75-6L | Vishay Siliconix | 168 | 电话:0755-83217923 询价QQ: ![]() |
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SIB800EDK-T1-GE3参数 产品类别:分立半导体产品-FET - 单 说明:MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6 包装数量:1 包装形式:剪切带 (CT) PDF资料下载: ![]() FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式) 漏源极电压 (Vdss):20V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.5A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):225 毫欧 @ 1.6A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):- 功率 - 最大值:3.1W 安装类型:表面贴装 |
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热门型号: Card EdgeECM18DCMT-S288 圆形 - 外壳DJT16F25-24JC-LC 嵌入式 - FPGAX250-2PQ208I 磁性 - 霍尔效应A1321EUA 测试夹 - 短头鳄BU-34C 嵌入式 - 微控制STM32F103RET7 PMIC - ACALTAIR04-900TR 配件G3FILM15 功率162J24 Card EdgeGMC12DRES |